Samsung: Mit Z-NAND-SSDs gegen Intels Optane-SSD

Mit seinem 3D-Xpoint-Speicher, den Intel in den Optane-SSDs verbaut, hat der Hersteller die Messlatte hinsichtlich der Performance hochgesetzt. Die Speichertechnologie zeigt insbesondere bei Low Depth Queues eine im Vergleich zu aktuellen NAND-Flash-Laufwerken hohe Leistungsfähigkeit. Nun versucht Samsung mit den sogenannten Z-NAND-SSDs eine Alternative zu bieten.

Erste Informationen rund um die SZ985 wurden bereits vor einigen Wochen offenkundig: Das Laufwerk, das eine Kapazität von 800 Gigabyte bereitstellt, erreicht im sequentiellen Modus sowohl beim Lesen als auch beim Schreiben Geschwindigkeiten von 3,2 GB/s. Im Zufälligkeitsmodus sollen 750.000 bzw. 170.000 IOPS beim Lesen bzw. Schreiben von Daten möglich sein.

Die Koreaner versprechen vor allem niedrigere Latenzen, die um 5,5-fache geringerer als bei einer aktuellen NVMe-SSDs ausfallen sollen. Damit steigt der Datendurchsatz (im RockDB-Benchmark) durchschnittlich um das Zweifache, während die Latenz im Durchschnitt um die Hälfte sinkt, wobei eine (NVMe basierte) PM1725a-SSD als Referenz herangezogen wurde. Darüber hinaus wurde das Cache-System verbesserte, bei dem die Leistung der SZ985 um das 1,6-fache gegenüber der PM1725a gestiegen sein soll.

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